RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
23.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
21.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
4565
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link