RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
33
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
23
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
21.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
23.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
21.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
4565
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link