RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
33
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
23
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
21.1
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
23
Velocità di lettura, GB/s
17.8
23.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
21.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
4565
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link