RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
63
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2987
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link