RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
63
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
60
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
7.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1505
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link