RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
63
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2.8
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
60
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
7.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1505
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link