RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO M418039 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против INTENSO M418039 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
INTENSO M418039 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
INTENSO M418039 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
63
Около -215% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO M418039 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2414
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
INTENSO M418039 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link