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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO M418039 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs INTENSO M418039 8GB

総合得点
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

総合得点
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INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16
    テスト平均値
INTENSO M418039 8GB 考慮すべき理由
INTENSO M418039 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 63
    周辺 -215% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 1,447.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO M418039 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    3,231.0 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,447.3 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    478 left arrow 2414

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