RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
63
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.1
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3637
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link