RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
104
Около -373% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3051
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link