Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Pontuação geral
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Pontuação geral
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 17.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,404.5 left arrow 13.7
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    22 left arrow 104
    Por volta de -373% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    104 left arrow 22
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,192.0 left arrow 17.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,404.5 left arrow 13.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • Tempos / Velocidade do relógio
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    786 left arrow 3051
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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