Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 17.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,404.5 left arrow 13.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    22 left arrow 104
    Wokół strony -373% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 6400
    Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    104 left arrow 22
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,192.0 left arrow 17.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,404.5 left arrow 13.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • Taktowanie / szybkość zegara
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    786 left arrow 3051
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania