RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2447
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391B2873EH1-CF8 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link