RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3020
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link