RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
79
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
79
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1710
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link