RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3140
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link