RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3140
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link