RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
63
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
56
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1964
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Mushkin 996902 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link