RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3217
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link