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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
3,231.0
16.5
写入速度,GB/s
1,447.3
13.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3217
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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