RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
63
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2613
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link