STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 14.9
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 63
    Около -80% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    10.1 left arrow 1,447.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 5300
    Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    63 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,231.0 left arrow 14.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,447.3 left arrow 10.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    478 left arrow 2613
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения