RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
45
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
45
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
6.9
Скорость записи, Гб/сек
13.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2926
1499
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Сравнения RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link