RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3156
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link