RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
63
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1897
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link