RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
63
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2846
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link