RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3480
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link