RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Сравнить
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB против Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
-->
Средняя оценка
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
31
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.2
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1990
3392
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Сравнения RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link