RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.2
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1990
2994
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Сравнения RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link