Strontium EVMT8G1600U86S 8GB против Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

-->

Средняя оценка

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Причины выбрать
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

11.7 11.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.2 5.2

Среднее значение в тестах

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 31

Около -7% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

31 29
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 11.3
Скорость записи, Гб/сек

7.2 5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1990 1880

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Kingston 9905678-028.A00G 8GB

Kingston 9905678-028.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

модули RAM