RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2305
2201
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link