RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2305
2201
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link