RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3564
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link