takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

-->

Средняя оценка

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Средняя оценка

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 17.9

Среднее значение в тестах

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 46

Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.2 1,852.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 31
Скорость чтения, Гб/сек

5,535.6 17.9
Скорость записи, Гб/сек

1,852.4 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

858 3538

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

модули RAM