RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.7
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3759
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link