RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3870
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link