RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
3222
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link