RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
46
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
43
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2430
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link