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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
46
左右 -7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
43
读取速度,GB/s
5,535.6
16.7
写入速度,GB/s
1,852.4
10.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
2430
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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