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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
52
左右 -41% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
37
读取速度,GB/s
4,837.1
14.7
写入速度,GB/s
2,027.0
11.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2698
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
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