RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2984
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link