RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.1
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2561
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link