RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
10.3
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2327
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link