RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
56
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
56
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
1964
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link