RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
50
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3308
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link