RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 30
    Около 20% меньшая задержка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.1 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.2 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 17.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 13.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3047

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
модули RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
модули RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
модули RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
модули RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
модули RAM