RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3047
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link