RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3047
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link