RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
66
Около -120% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
2,978.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
2374
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link