RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.0
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2103
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link