RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
50
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3731
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link