RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
50
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.7
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3911
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link