RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
50
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.7
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3911
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link