RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
50
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2933
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link