takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

-->

Средняя оценка

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.9

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 50

Около -52% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.4 1,457.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 33
Скорость чтения, Гб/сек

3,757.3 15.9
Скорость записи, Гб/сек

1,457.4 10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

557 2847

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB

Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM