RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
50
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2847
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link